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NXP Semiconductors
PESD5V0U2BM
Ultra low capacitance bidirectional double ESD protection array
Table 6. ESD maximum ratings
T amb = 25 ° C unless otherwise speci?ed.
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Max
Unit
Per diode
V ESD
electrostatic discharge voltage
[1][2]
IEC 61000-4-2
-
10
kV
(contact discharge)
MIL-STD-883 (human
-
8
kV
body model)
[1]
[2]
Device stressed with ten non-repetitive ESD pulses.
Measured from pin 1 or 3 to pin 2 or 3.
Table 7.
Standard
Per diode
ESD standards compliance
Conditions
IEC 61000-4-2; level 4 (ESD)
MIL-STD-883; class 3 (human body model)
> 15 kV (air); > 8 kV (contact)
> 4 kV
001aaa631
I PP
100 %
90 %
10 %
t r = 0.7 ns to 1 ns
30 ns
60 ns
t
PESD5V0U2BM_1
Fig 1.
ESD pulse waveform according to IEC 61000-4-2
? NXP B.V. 2008. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 14 August 2008
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